Абярыце краіну або рэгіён.

Close
Увайсці рэгістрацыя электронная пошта:Info@infinite-electronic.hk
0 Item(s)

АТЭС: SiC магутнасці і паляпшэнне хмарных электраінструменты

Магчымасці пошуку былі ўдасканалены, і ёсць меню карусельные тыпу, што дазваляе сумяшчальныя прылады і платы павінны быць выбраны, фірма сказала: «Інжынеры могуць звузіць жыццяздольныя варыянты кампанентаў сістэмы і рашэнні і быць упэўненымі ў прадукцыйнасці сістэмы перад здзяйсненнем пошуку абсталявання і камплектуючых іх канструкцыі «.

Паказальныя ў АТЭС ўключаюць у сябе карбід крэмнія (SiC), 11 кВт 100 кГц трохфазны поўны мост ПФК (каэфіцыент магутнасці карэктара) Дэманстрацыйны пабудаваны вакол NVHL080N120SC1 SiC МОП-транзістара On (у 1,200V,> 30A, ~ 80mΩ, TO247) і NCP51705 драйвер засаўкі - які ўключае ў сябе Charge-насос, каб стварыць адмоўнае зрушэнне, каб уключыць SiC Mosfet замыканне.

OnSemi-eFuseНа Semi eFuse

Акрамя таго, на дысплеі будзе eFuse, «разумныя пасіўныя датчыкі» для прамысловай аўтаматызацыі, рашэнне высокай шчыльнасці USB-ПД (падача энергіі), схема зваротнага ходу актыўнага заціску і сілавыя модулі прывада рухавіка.

Для садзейнічання страты дакумента амбіцыйна названы «Задавальняючы спіс пажаданняў ў запрасаваным дызайнера з усімі патрэбнымі інструментамі толькі ў адной панэлі інструментаў» будзе прадстаўлены (19 сакавіка 1:30 вечара 303AB нумар).

Яшчэ адна прэзентацыя: «Прадукцыйнасць, надзейнасць і прыбытковасць меркаванні ў укаранёны SiC дыёдаў і Mosfet тэхналогіі падчас разгону» (серада 20 сакавіка 2 вечара, праверыць месцазнаходжанне)