Абярыце краіну або рэгіён.

Close
Увайсці рэгістрацыя электронная пошта:Info@infinite-electronic.hk
0 Item(s)

ON дадае SiC MOSFETs

ON Semiconductor прадставіла два карбіду крэмнію MOSFETs, накіраваных на электрамабілі, сонечныя і прыкладанняў КБС.

Прамысловы NTHL080N120SC1 клас і AEC-Q101 аўтамабільная марка NVHL080N120SC1 дапаўняюцца  SiC дыёды і драйверы карбіду крэмнію, Мадэляванне прылады інструментаў, мадэль SPICE і інфармацыя аб дадатку.

ON ў 1200 Вольце (У), 80 мОме (МАМ), SiC МОП-транзістары заяц з нізкім токам уцечкі, хуткі характарыстычнай дыёд з нізкім зваротным зарадам аднаўлення, які дае стромкае зніжэнне страт магутнасці і падтрымлівае больш высокую працу частоты і вялікую удзельную магутнасць і нізкую Eon і Eoff / хутка ўключаецца і выключаецца ў спалучэнні з нізкім прамым напругай, каб паменшыць сумарныя страты магутнасці і, такім чынам, патрабаванне да астуджэння.


Нізкая ёмістасць прылада падтрымлівае магчымасць пераключэння на вельмі высокіх частотах, што памяншае праблемныя пытанні EMI; Між тым, больш высокі ўсплёск, здольнасць лавіны, і ўстойлівасць да кароткага замыкання павышаюць агульную трываласць, забяспечвае падвышаную надзейнасць і працяглы тэрмін службы ў цэлым.

Яшчэ адна перавага прылад theSiC MOSFET ўяўляе сабой структуру тэрмінацыю, які дадае да надзейнасці і трываласці і павышае эксплуатацыйную стабільнасць.

NVHL080N120SC1 быў распрацаваны, каб вытрымліваць высокія імпульсныя токі і забяспечвае высокую здольнасць лавінны і надзейнасць ад кароткіх замыканняў.

AEC-Q101 кваліфікацыі МОП-транзістара плюс іншых прылад, прапанаваных SiC, гарантуе, што яны могуць быць цалкам выкарыстаны ў колькасці ў аўтамабілі прыкладанняў якія ўзнікаюць у выніку павелічэння электроннага кантэнту і электрыфікацыя трансмісій.

Максімальная працоўная тэмпература 175 ° C павышае прыдатнасць для выкарыстання ў аўтамабільных канструкцыях, а таксама іншыя мэтавыя прыкладання, дзе шчыльнасць і высокія прасторавыя абмежаванні штурхаюць ўверх тыповыя тэмпературы навакольнага асяроддзя.